ASTM F1726-2002 硅片结晶完整性分析的标准指南
作者:标准资料网 时间:2024-05-04 20:52:46 浏览:8781
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【英文标准名称】:StandardGuideforAnalyisofCrystallographicPerfectionofSiliconWafers
【原文标准名称】:硅片结晶完整性分析的标准指南
【标准号】:ASTMF1726-2002
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2002
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(Guide)
【标准水平】:()
【中文主题词】:蚀刻;试验;硅;半导体;破坏试验;密度;沉积物
【英文主题词】:dislocation;epitaxy;grainboundaries;hillock;polycrystallineimperfections;preferentialetch;shallowpit;silicon;slip;stackingfault
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thisguidecoversthedeterminationofthedensityofcrystallographicdefectsinunpatternedpolishedandepitaxialsiliconwafers.Epitaxialsiliconwafersmayexhibitdislocatio
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:3P.;A4
【正文语种】:
【原文标准名称】:硅片结晶完整性分析的标准指南
【标准号】:ASTMF1726-2002
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2002
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(Guide)
【标准水平】:()
【中文主题词】:蚀刻;试验;硅;半导体;破坏试验;密度;沉积物
【英文主题词】:dislocation;epitaxy;grainboundaries;hillock;polycrystallineimperfections;preferentialetch;shallowpit;silicon;slip;stackingfault
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thisguidecoversthedeterminationofthedensityofcrystallographicdefectsinunpatternedpolishedandepitaxialsiliconwafers.Epitaxialsiliconwafersmayexhibitdislocatio
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:3P.;A4
【正文语种】:
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